您可能或多或少遇到过上述一些问题。宜特听取了您的需求，推出了热EMMI（InSb），用于在不解封装的情况下检测缺陷，包括低电阻（<10ohm）短路检测功能，可在IC通电时检测热辐射分布，从而快速定位缺陷坐标。

此外，对于3D封装产品，过去通过逐层切割线来识别缺陷，这既费时又费力。我们新购买的热EMMI通过热辐射传输的时间差估计3D封装中的缺陷深度（z轴方向），帮助您快速识别芯片的哪一层缺陷。当然，相同的技术可用于检测 TFT LCD 面板中的缺陷以及 PCB/PCBA 的故障分析。

以下是几个典型的热 EMMI 示例。在低震级下，可以清楚地看到IC顶部标记（图1）。在电阻极低的短路失效样品中，不仅在热EMMI下清晰地看到光斑，还显示了光斑的相对坐标（图2）。

图1

图2

下图3显示了未解封的亮点，很容易揭示问题出在芯片还是封装上。对于体积较大的PCB短路，都可以识别出缺陷（图4）。

图3

图4

一般来说，宜特的热EMMI（InSb）能够为您检测以下缺陷：

IC键合线和/或IC内部电路短路

介电层漏电流（氧化物）

晶体管和二极管中的漏电流

TFT液晶面板和PCB/PCBA的金属电路缺陷和短路

ESD闩锁

3D封装（堆叠芯片）缺陷深度的估计